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PBR951硅超高頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動(dòng)態(tài)范圍和理想的電流特性。主要應(yīng)用于超高頻低噪聲功率管主要應(yīng)用于VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產(chǎn)于PHILIPS，現(xiàn)在國(guó)內(nèi)也有公司生產(chǎn)。北京鼎霖電子科技有限公司在該公司已有的軍用微波相控陣?yán)走_(dá)功率放大器件生產(chǎn)技術(shù)的基礎(chǔ)上，為民用市場(chǎng)研制開發(fā)了系列高頻微波三極管，包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標(biāo)同NEC、philips同類產(chǎn)品相同。
參數(shù)
類別：NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管
集電極-發(fā)射極電壓VCEO：15V
集電極-基極電壓VCBO:20V
發(fā)射極-基極電壓VEBO:1.5V
集電極直流電流IC:100mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作結(jié)溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式：SOT-23
功率特性：中功率
極性：NPN型
結(jié)構(gòu)：擴(kuò)散型
材料：硅(Si)
封裝材料：塑料封裝
性能參數(shù)
擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=1.5V
直流放大系數(shù)hFE: 60～250 @VCE=6V,IC=5mA
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
發(fā)射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
特征頻率fT:8.0GHz@ VCE=6V,IC=5mA
集電極允許電流IC：0.1（A）
集電極最大允許耗散功率PT：0.5（W）
功率增益GUM：14dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
噪聲系數(shù)NF：1.3dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
